ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (এফইটি) বিস্তৃতভাবে দুটি শ্রেণীতে বিভক্ত: জংশন ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (জেএফইটি) এবং ইনসুলেটেড-গেট ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (এমওএস ট্রানজিস্টর)।
চ্যানেল উপাদান এবং ইনসুলেটেড-গেটের প্রকারের উপর ভিত্তি করে, এগুলিকে আরও N-চ্যানেল এবং P-চ্যানেল প্রকারে ভাগ করা হয়েছে। পরিবাহী মোডের উপর ভিত্তি করে, এগুলিকে অবক্ষয়-মোড এবং বর্ধিতকরণ-মোডে শ্রেণীবদ্ধ করা হয়। জেএফইটিগুলি হল সমস্ত অবক্ষয়-মোড, যখন এমওএস ট্রানজিস্টরগুলি হয় অবক্ষয়-মোড বা বর্ধিতকরণ-মোড হতে পারে।
এফইটিগুলিকে জংশন ফিল্ডে শ্রেণীবদ্ধ করা যেতে পারে{0}}ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (জেএফইটি) এবং এমওএস ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (এমওএস ট্রানজিস্টর)। MOS ট্রানজিস্টরগুলিকে আরও চারটি প্রধান বিভাগে বিভক্ত করা হয়েছে: N-চ্যানেল হ্রাস-মোড এবং P-চ্যানেল হ্রাস-মোড।
জংশন ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর (জেএফইটি)
1. জংশন ফিল্ডের শ্রেণীবিভাগ-এফেক্ট ট্রানজিস্টর: JFET-এর দুটি কাঠামোগত রূপ রয়েছে: N-চ্যানেল JFETs এবং P-চ্যানেল JFETs।
জেএফইটি-তে তিনটি ইলেক্ট্রোড রয়েছে: গেট, ড্রেন এবং উৎস।
সার্কিট প্রতীকে গেটের তীরের দিকটি দুটি পিএন জংশনের অগ্রবর্তী পরিবাহী দিক হিসাবে ব্যাখ্যা করা যেতে পারে।
2. একটি জংশন ফিল্ডের কার্যকরী নীতি-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (JFET) (উদাহরণ হিসাবে একটি N-চ্যানেল JFET নিচ্ছেন): একটি N-চ্যানেল JFET-এর গঠন এবং প্রতীক৷ যেহেতু পিএন জংশনের বাহকগুলি ক্ষয়প্রাপ্ত হয়, তাই পিএন জংশনটি মূলত অ-পরিবাহী, যা তথাকথিত অবক্ষয় অঞ্চল গঠন করে। যখন ড্রেন ভোল্টেজ ED ধ্রুবক থাকে, গেট ভোল্টেজ যত বেশি নেতিবাচক হয়, PN জংশন ইন্টারফেসে গঠিত হ্রাস অঞ্চলটি তত ঘন হয়, যার ফলে ড্রেন এবং উত্সের মধ্যে একটি সংকীর্ণ চ্যানেল এবং একটি ছোট ড্রেন বর্তমান আইডি তৈরি হয়। বিপরীতভাবে, গেট ভোল্টেজ কম ঋণাত্মক হলে, চ্যানেল প্রশস্ত হয় এবং আইডি বৃদ্ধি পায়। অতএব, গেট ভোল্টেজ ইজি ড্রেন বর্তমান আইডি পরিবর্তন নিয়ন্ত্রণ করতে পারে; অর্থাৎ, JFET হল একটি ভোল্টেজ{10}নিয়ন্ত্রিত উপাদান।
ইনসুলেটেড-গেট ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর (MOSFET)
1. ইনসুলেটেড-গেট ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর (MOSFETs): ইনসুলেটেড-গেট ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টরেরও দুটি কাঠামোগত ফর্ম রয়েছে: N-চ্যানেল এবং P-চ্যানেল৷ চ্যানেল নির্বিশেষে, এগুলিকে আরও বিভক্ত করা হয়েছে বর্ধিতকরণ-মোড এবং অবক্ষয়-মোডের প্রকারে।
2. এটি ধাতু, অক্সাইড এবং সেমিকন্ডাক্টরের সমন্বয়ে গঠিত, তাই একে একটি ধাতু-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর বা কেবল একটি MOSFETও বলা হয়।
3. ইনসুলেটেড গেট ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টরের কাজের নীতি (উদাহরণ হিসাবে N-চ্যানেল বর্ধিতকরণ-মোড MOSFET ব্যবহার করে): এটি প্ররোচিত চার্জের পরিমাণ নিয়ন্ত্রণ করতে গেট ভোল্টেজ (ইউজিএস) ব্যবহার করে, যার ফলে এই চ্যানেলগুলির পরিবাহিত আকারে এবং পরিবাহিত আকারে চার্জ করা হয়। ড্রেন কারেন্ট নিয়ন্ত্রণ করা। ট্রানজিস্টর তৈরির সময়, অন্তরক স্তরে প্রচুর পরিমাণে ধনাত্মক আয়ন প্রবর্তিত হয়, যা ইন্টারফেসের অন্য দিকে উল্লেখযোগ্য পরিমাণে নেতিবাচক চার্জ প্ররোচিত করে। এই নেতিবাচক চার্জগুলি অত্যন্ত ডোপড N-অঞ্চলকে সংযুক্ত করে, একটি পরিবাহী চ্যানেল তৈরি করে, ফলে একটি বড় ড্রেন কারেন্ট আইডি তৈরি হয় এমনকি VGS=0. যখন গেট ভোল্টেজ পরিবর্তিত হয়, চ্যানেলে প্ররোচিত চার্জের পরিমাণও পরিবর্তিত হয়, এবং পরিবাহী চ্যানেলের প্রস্থ সেই অনুযায়ী পরিবর্তিত হয়। অতএব, ড্রেন বর্তমান আইডি গেট ভোল্টেজের সাথে পরিবর্তিত হয়।
MOSFET-এর জন্য দুটি অপারেটিং মোড রয়েছে: যেগুলি বৃহৎ ড্রেন কারেন্ট সহ যখন গেট ভোল্টেজ শূন্য হয় তাকে বলা হয় অবক্ষয়-মোড; যাদের শূন্য ড্রেন কারেন্ট থাকে যখন গেট ভোল্টেজ শূন্য হয়, ড্রেন কারেন্ট উৎপন্ন করার জন্য একটি নির্দিষ্ট গেট ভোল্টেজের প্রয়োজন হয়, তাকে এনহ্যান্সমেন্ট-মোড বলা হয়।
